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（2）探索二维半导体的磁性掺杂，大基地通过Fe掺杂SnS2获得了具有铁磁特性的二维半导体（Nat.Commun.2017,8,1958.），大基地成功将磁性Co元素掺入MoS2形成高质量二维合金（ACSNano2015,9(2),1257-1262.）。研究发现其性能与材料厚度有直接关系，础设当样品厚度约为5.7nm时所得载流子迁移率最高，础设可达59cm2V-1s-1，当样品厚度约为4.6nm时所得开关电流比最高，可达105。
载流子迁移率的温度依赖性研究表明载流子迁移率的峰值出现于230K处，施结算速落低于230K时，施结算速落载流子主要受限于杂质散射的影响，而晶格散射在高温下占主导地位。已经发表SCI论文90多篇，合边以第一或通讯作者发表论文50多篇，其中包括Nat.Commun.;Adv.Mater.;J.Am.Chem.Soc.;ACSNano;Adv.Funct.Mater.等国际知名期刊。而单层B-As是一种间接带隙半导体，物联其带隙值约为1-1.5eV。
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2015年入选中国科学院百人计划，大基地2016年获得优秀青年科学基金。
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吸收光谱可以利用吸收峰的特性进行定性的分析和简单的物质结构分析，合边此外还可以用于物质吸收的定量分析。Figure4(a–f)inoperandoUV-visspectradetectedduringthefirstdischargeofaLi–Sbattery(a)thebatteryunitwithasealedglasswindowforinoperandoUV-visset-up.(b)Photographsofsixdifferentcatholytesolutions;(c)thecollecteddischargevoltageswereusedfortheinsituUV-vismode;(d)thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesofdifferentstoichiometriccompounds;thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesof(e)rGO/Sand(f)GSH/SelectrodesatC/3,respectively.理论计算分析随着能源材料的大力发展，物联计算材料科学如密度泛函理论计算，物联分子动力学模拟等领域的计算运用也得到了大幅度的提升，如今已经成为原子尺度上材料计算模拟的重要基础和核心技术，为新材料的研发提供扎实的理论分析基础。
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